5W-10W-15W低温无线充方案芯片介绍FNK5043、FNK2315
在竞争激烈的无线充市场，开始有些客户重视无线充的温度，特别是苹果手机升级软件使得80%电量充电电流很小，温度高意味充电效率低，充电时间相对较长。
菲诺克科技专门推出了几款温度低的无线充方案适应市场，成本比便宜的无线充方案要增加1-2元。但最便宜的又温度低的方案不存在，和永动机一样不存在，因为常常有客户提这种需求，那应该是神话故事里的法器吧。
本文开始前先要明确一些东西，因为会有一些客户会提一些要求比如要求你的无线充方案能做到45度，或充手机3个小时充满。实际脱离限定好的条件去确定温度和充电时间都是没意义的。比如说一个无线充在2-3MM厚度，MOS或全桥芯片的温度是45度。但如果8MM厚度到80度以上也很正常。
下面讨论的温度是在实物板下的效果，不同PCB尺寸、材料温度差异也很大的。
环境温度25度，充电厚度2mm，对准没偏移，采用A11线圈、三环的M4电容，图片的15W测试架
方案：FNK2315+3418+3418. 在15W测架，MOS的温度40度
此方案通过外围电路设计和软件算法配合使得温度较低，由于MOS外置，灵活性更好，通过选用内阻低的MOS可对温度继续做改善。市场上有一种误区，认为用全桥芯片温度才好。其实是因为看到大多数用MOS的无线充方案采用的都是内阻高的MOS，选用MCU方案也是价格低的。这类产品以出货量大、价格要求低造成的。而全桥芯片成本高，所以内置的MOS内阻小，所以看起来全桥效果好，另一方面也无法改变全桥芯片内的MOS，所以真正温度好的还是外置MOS。
但这个方案的缺点是外围器件多，如果温度要比一般的要好成本增加不多。一旦对温度要求特别低时，MOS的成本很高会超过全桥。
方案：FNK5043+FNK3825. 在15W测架，全桥的温度45度
通过软件的算法+全桥芯片使得温度比市场很多采用全桥芯片的温度都要低，在看重温度，成本又不想增加太多的客户这是不错的选择。
特点：
外围器件少，温度好。但因为MOS是内置，如果想在此基础上再改善温度比较难
最后，一般来说产品外壳的温度会比MOS或全桥上测的会更低，比如上面两个板放产品内，外壳温度应该３０多度。当然这只是一般情况，跟每个人产品结构和LAYOUT的工程师是不是考率到功率部分的走线都有关。
我们还有一些低温的方案，不在此出一一列出。