无线充方案和PD充电器方案MOS发热要如何选型才能避免
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MOSFET 发热的工作损耗分为以下几部分：
1、导通损耗Pon
导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流（即漏源电流） IDS(on)(t) 在导通电阻 RDS(on) 上产生之压降造成的损耗。
所以RDS(on) 是大多工程师比较关注的，小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。
2、截止损耗Poff
截止损耗，指在 MOSFET 完全截止后在漏源电压 VDS(off) 应力下产生的漏电流 IDSS 造成的损耗。
3、开启过程损耗
开启过程损耗，指在 MOSFET 开启过程中逐渐下降的漏源电压 VDS(off_on)(t) 与逐渐上升的负载电流（即漏源电流） IDS(off_on)(t) 交叉重叠部分造成的损耗。
4、关断过程损耗
关断过程损耗。指在 MOSFET 关断过程中 逐渐上升的漏源电压 VDS(on_off) (t) 与逐渐 下降的漏源电流 IDS(on_off)(t) 的交叉重 叠部分造成的损耗。
5、驱动损耗Pgs
驱动损耗，指栅极接受驱动电源进行驱动造成之损耗
驱动损耗的计算：
确定驱动电源电压 Vgs 后，可通过如下公式进行计算：
Pgs= Vgs × Qg × fs
6、Coss电容的泄放损耗Pds
Coss电容的泄放损耗,指MOS输出电容 Coss 截止期间储蓄的电场能于导同期间在漏源极上的泄放损耗。
7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f和反向恢复损耗Pd_recover
体内寄生二极管正向导通损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降造成的损耗。